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(資料圖片僅供參考)

西部數(shù)據(jù)周一推出了其首款雙致動(dòng)器硬盤（HDD），與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手希捷采用類似技術(shù)的Exos硬盤相匹配，令人印象深刻，這是一個(gè)相當(dāng)意外的舉動(dòng)。雙推桿Ultrastar DC HS760 20TB硬盤（在新標(biāo)簽中打開）建立在經(jīng)過驗(yàn)證的單推桿Ultrastar DC HC560硬盤的基礎(chǔ)上，但其連續(xù)讀/寫速度增加了一倍，達(dá)到了我們?cè)赟ATA SSD中看到的速度類型，而且隨機(jī)讀/寫性能也幾乎增

加了一倍。對(duì)于超大規(guī)模的云計(jì)算數(shù)據(jù)中心來說，新硬盤的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于每TB的IOPS增加。

硬盤中的兩個(gè)獨(dú)立執(zhí)行器并行工作，提供了兩倍的順序吞吐量（高達(dá)582 MB/s），與SATA固態(tài)硬盤的吞吐量相當(dāng)，隨機(jī)性能比單執(zhí)行器硬盤高1.7倍（仍不能與固態(tài)硬盤相比）。西部數(shù)據(jù)還聲稱，該硬盤比兩個(gè)獨(dú)立的硬盤消耗的電量少37%。由于某些原因，西部數(shù)據(jù)沒有公布該產(chǎn)品的詳細(xì)規(guī)格，不過我們希望很快能看到數(shù)據(jù)表。

Ultrastar DC HS760 20TB雙推桿硬盤采用了西部數(shù)據(jù)的第三代OptiNAND平臺(tái)，具有9個(gè)2.2TB ePMR（能量輔助垂直磁記錄技術(shù)）盤片和NAND閃存緩存，用于存儲(chǔ)元數(shù)據(jù)和寫緩存數(shù)據(jù)，以提高性能和增加面積密度。

Ultrastar DC HS760硬盤通過單端口SAS訪問，并呈現(xiàn)為兩個(gè)10TB邏輯單元號(hào)（LUN）SAS設(shè)備。由于邏輯硬盤可以獨(dú)立尋址，因此需要在主機(jī)方面進(jìn)行軟件調(diào)整。為此，并非所有的數(shù)據(jù)中心都能使用這種新硬盤。

西部數(shù)據(jù)的Ultrastar DC HS760 20TB硬盤的容量高于希捷的雙動(dòng)能Exos 2X18 18TB硬盤，但希捷也提供了具有SATA接口的硬盤，這使得它與更多的客戶兼容。

隨著硬盤容量的增加，其每TB隨機(jī)讀/寫的IOPS性能下降，這使得數(shù)據(jù)中心更難維持其服務(wù)質(zhì)量。雙啟動(dòng)器HDD通過大幅提高HDD的性能來解決這一問題，盡管其代價(jià)是功耗略微增加。

與其他西數(shù)Ultrastar硬盤一樣，DC HS760 20TB也有五年的保修期，并打算在24/7環(huán)境下工作。每個(gè)LUN被設(shè)計(jì)為每年可處理500TB，略低于典型數(shù)據(jù)中心HDD每年550TB的工作負(fù)荷。

西部數(shù)據(jù)沒有透露其雙動(dòng)器硬盤的定價(jià)，但它們自然會(huì)比單動(dòng)器硬盤更貴。另外，由于這些存儲(chǔ)設(shè)備是為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的，它們的實(shí)際價(jià)格將取決于許多因素，如數(shù)量和已建立或新的長期協(xié)議。

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